4 INCH C-PLANE(0001) SAPPHIRE WAFERS

Wafer saphir is being used extensively as a substrate for III-V nitrides and for many other epitaxial films. We supply 99.999% high purity sapphire wafers with an excellent surface finish to meet your rigorous requirements.

Specifications of 4 Inch C-plane(0001) Sapphire Wafer

Item	4-inch C-plane(0001) 650μm Sapphire Wafers
Crystal Materials	99,999%, High Purity, Monocrystalline Al2O3
Grade	Prime, Epi-Ready
Surface Orientation	C-plane(0001)
	C-plane off-angle toward M-axis 0.2 +/- 0.1°
Diameter	100.0 mm +/- 0.1 mm
Thickness	650 μm +/- 25 μm
Primary Flat Orientation	A-plane(11-20) +/- 0.2°
Primary Flat Length	30.0 mm +/- 1.0 mm
Single Side Polished	Front Surface	Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)
(SSP)	Back Surface	Fine ground, Ra = 0.8 μm to 1.2 μm
Double Side Polished	Front Surface	Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)
(DSP)	Back Surface	Epi-polished, Ra < 0.2 nm (by AFM)
TTV	< 20 μm
BOW	< 20 μm
WARP	< 20 μm
Cleaning / Packaging	Class 100 cleanroom cleaning and vacuum packaging,
	25 pieces in one cassette packaging or single piece packaging.

Note: Custom c axis sapphire with any orientation and any thickness can be provided.

If you want to know more about custom sapphire optics, please contact us.

Localisation : No. 49, Jiefang East Road, Shanyang District, JIAOZUO 454000, HENAN, CHINA, 454000 Jiaozuo,
Personne à contacter : Zhu Wind, +86 0391 393 3936

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